Hersteller Produktnummer:
IPS13N03LA G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPS13N03LA G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventar:
12806142
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IPS13N03LA G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1043 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
46W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3-11
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
IPS13N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
IPS13N03LA G-DG
SP000015133
IPS13N03LAG
IPS13N03LAGX
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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